功率器件分析仪
仪器编号:bdt2018070
价格:   400.0
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广东省半导体产业技术研究院
广东省半导体产业技术研究院
所在地区:广东省广州市天河区长兴路363号
信用分值:0
信用等级:一般管理单位
进入机构


仪器编号: bdt2018070
所属业务: 物理性能测试仪器
所属分类: 粒度/颗粒/粉末分析仪器
型号: B1505A
所属机构: 广东省半导体产业技术研究院
所属管理单位: 广东省半导体产业技术研究院
所属仪器类型:
仪器设备来源: 购置
仪器设备类别: 通用
技术指标: ● 高电压模块测试能力 ● 最大输出电压±3000V; ● 最大驱动电流±8mA(±1500V),±4mA(±3000V) ; ● 电压测量分辨率200μV; ● 电流测量分辨率10fA。 ● 大电流模块测试能力 ● 最大输出电压±40V(直流),±20V(脉冲); ● 最大驱动电流±1A(直流),±20A(脉冲); ● 电压测量分辨率200nV; ● 电流测量分辨率10pA; ● 能加装模块扩展至±100A (脉冲)。 ● 多频点电容测试模块测试能力 ● 频率范围1kHz至5MHz; ● 最大直流偏置±3000V; ● 支持的测量范围Cp-G、 Cp-D、 Cp-Q、 Cp-Rp、Cs-Rs、 Cs-D、 Cs-Q、 Lp-G、 Lp-D 、Lp-Q、 Lp-Rp、 Ls-Rs、 Ls-D、 Ls-Q、R-X、 G-B。 ● 广泛的器件测量功能 ● 3000V直流偏置条件下的电容测量(Ciss、 Coss、 Crss 等); ● 低至10μs的大功率脉冲测量。详见设备技术调试报告。

1.在各种工作条件下进行精确测量 
-针对高达1500 A和10 kV的功率器件特性的一体化解决方案 
-具有高压偏置的中等电流测量(例如500 V,1200 V) 
-μΩ导通电阻测量能力 
-精确的亚皮安级别,高压偏置下的电流测量 
2.广泛的设备评估功能 
-电容(Ciss,Coss,Crss等)测量,最高可达3000 V DC偏压 
-高功率脉冲测量,最低可达10μs 
-封装器件和晶圆上IGBT / FET栅极电荷测量 
-高电压/高电流快速开关选项,用于表征GaN电流崩塌效应 
-最多五个高压(3 kV)源/测量通道,以实现最大的灵活性 
3.提高了测量效率 
-无需可重复切换即可在高压和高电流测量之间切换 
-用于封装和晶圆上器件的晶体管结电容(Ciss,Coss,Crss,Cgs,Cgd,Cds等)的自动测试电路形成 
-带互锁的标准测试夹具,用于安全封装的功率器件测试 
-支持并确保超过200 A和高达10 kV的晶圆上高功率测试 
基于MS Windows的EasyEXPERT软件有助于数据管理和分析

价格说明:
服务项目可能因样品性质不同,而存在价格变动,具有不确定性,可能为非最终价格,具体可向管理单位咨询,沟通商议;最终以订单结算页价格为准。
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