1、外延尺寸：2英寸、4英寸、4英寸、8英寸；

2、生长温度控制范围：400-1150℃；

3、反应室压力控制范围：30-1000mbar；

4、源气配置：4路气体（H2、N2、NH3、SiH4）、9路MO源（2路TMGa、2路TMAl、TEGa、TMIn、2路Cp2Mg、1路spare）可用于氮化镓、氮化铝、铝镓氮、铟镓氮、等单层或者多层氮化物材料生长，N型掺杂及P型掺杂。用于蓝、绿、深紫激光器、电子功率器件、电子探测器等相关器件材料生长。