1、外延尺寸:2英寸、4英寸、4英寸、8英寸;
2、生长温度控制范围:400-1150℃;
3、反应室压力控制范围:30-1000mbar;
4、源气配置:4路气体(H2、N2、NH3、SiH4)、9路MO源(2路TMGa、2路TMAl、TEGa、TMIn、2路Cp2Mg、1路spare)可用于氮化镓、氮化铝、铝镓氮、铟镓氮、等单层或者多层氮化物材料生长,N型掺杂及P型掺杂。用于蓝、绿、深紫激光器、电子功率器件、电子探测器等相关器件材料生长。